CN1184316A - 行冗余块结构- Google Patents
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一般的说，本发明涉及半导体存储器，更具体地说，涉及用于动态随机存储器(DRAM)冗余块结构的借助于互换自定时发生器的行冗余匹配检测，借助于行冗余匹配检测的采样字线启动发生器，以及行冗余控制电路。
H.L.Kalber等人在”具有10毫微秒数据速率和片上纠错码(ECC)的50毫微秒16Mb DRAM”，IEEE J.Solid sbabe Circuibs，Vol.25，No.5，Ocbober，1990一文中提出的DRAM用的冗余块结构，其特点是行冗余替换灵活。
这个灵活性是有利的，因为它可以在不增大冗余元件和冗余匹配检测
