配位子場理論 - 科學Online
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晶場理論(crystalfieldtheory,CFT)
國立臺灣師範大學化學系三年級俞姿宇
概論
晶場理論於1929年由漢斯·貝特(H.Bethe)和約翰·凡扶累克(J.H.vanVleck)首先提出。
主要用d軌域開裂(splitting)的情況來解釋錯合物的顏色、磁性、立體構型、熱力穩定性和錯合物畸變。
1
錯合物的中心金屬經常是過渡元素,過渡元素具有五種相等能量的d軌域,在空間中的方向都不同。
首要假設是將配位鍵都視為正負電荷相吸的純離子鍵,配位基(ligand)的孤對電子視為負的點電荷,或是部分負的電偶極;帶正電的中心金屬離子處於負電荷配位基所形成的晶體場中。
當配位基加進來形成錯合物後,由於受到晶體場的交互作用,五種d軌域的能量會受到影響,此謂d軌域開裂。
d軌域開裂
錯合物的空間構型也會影響配位體形成的晶體場,像是平面四邊形、正四面體或是正八面體,中心金屬離子的d軌域受到的排斥力都不同,造成不同的開裂情況。
在八面體的錯合物中,d軌域會分裂成兩個較高(eg)和三個較低(t2g)的簡併(degenerate)軌域,兩者之間的能量差稱為分裂能(ligand-fieldsplittingparameter,Δ)(圖一)。
若分裂能量差恰為可見光的能量範圍,錯合物就會呈現顏色。
起因於空間構型,使得d軌域中,dz2和dx2-y2這兩個軌域的電子雲集中在有配位基負電荷的位置上,斥力大,因此能量提升,提升量為0.6Δ,這兩個等能量的軌域稱為eg 軌域,而dxy、dyz和dxz在空間中與配位基的位置剛好錯開,能量比eg 低,比原來未配位的d軌域能量低了0.4 Δ,這三個等能量的軌域稱為t2g 軌域(圖二)。
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