K4H640838A-TCA0 - Datasheet - 电子工程世界

CC1350 LaunchPad开发套件评测之一----开发板及芯片: 本帖最后由yang_alex于2017-4-2208:25编辑此内容由EEWORLD论坛网友yang_alex原创，如需转载或用于商业用途需征得 ... |首页| 电子技术| 电子产品应用| 电子头条| 社区| 论坛 测评 博客 电子技术视频| 下载| 参考设计| Datasheet| 活动| 技术直播| datasheet datasheet 文章 搜索 |首页| 电子技术| 电子产品应用| 电子头条| 论坛| 大学堂| 下载| 参考设计| Datasheet| 活动| 技术直播| datasheet datasheet 文章 搜索 电子工程世界电子工程世界 Datasheet 型号 关键词 搜索 关键词 型号 搜索 Datasheet> 器件分类> K4H640838A-TCA0   K4H640838A-TCA0 器件型号：K4H640838A-TCA0 厂商名称：SAMSUNG(三星) 厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/   下载文档 器件描述 128MbDDRSDRAM 文档预览 128MbDDRSDRAM DDRSDRAMSpecification Version1.0 -1- REV.1.0November.2.2000 128MbDDRSDRAM RevisionHistory Version0(May,1998) -Firstversionforinternalreview Version0.1(June,1998) -Addedx4organization Version0.2(Sep,1998) 1.Added"Issueprchargecommandforallbanksofthedevice"asthefourthstepofpower-upsquence. 2.Inpowerdownmodetimingdiagram,NOPconditionisaddedtoprechargepowerdownexit. Version0.3(Dec,1998) -AddedQFCFunction. - AddedDCcurrentvalue -ReduceI/Ocapacitancevalues Version0.4(Feb,1999) -AddedDDRSDRAMhistoryforreference(refertothefollowingpage) -AddedlowpowerversionDCspec Version0.5(Apr,1999) -RevisedfollowingfirstshowingforJEDECstandard -Added DCtargetcurrentbasedonnewDCtestcondition Version0.6(July1,1999) 1.Modifiedbinningpolicy From To -Z(133Mhz) -Z(133Mhz/266Mbps@CL=2) -8(125Mhz) -Y(133Mhz/266Mbps@CL=2.5) -0(100Mhz) -0(100Mhz/200Mbps@CL=2) 2.ModifiedthefollowingACspecvalues From. -Z tAC tDQSCK tDQSQ tDS/tDH tCDLR *1 tPRE *1 tRPST *1 tHZQ *1 *1 To. -0 +/-1ns +/-1ns +/-0.75ns 0.75ns 2.5tCK-tDQSS 1tCK+/-1ns tCK/2+/-1ns tCK/2+/-1ns -Z +/-0.75ns +/-0.75ns +/-0.5ns 0.5ns 1tCK 0.9/1.1tCK 0.4/0.6tCK +/-0.75ns -Y +/-0.75ns +/-0.75ns +/-0.5ns 0.5ns 1tCK 0.9/1.1tCK 0.4/0.6tCK +/-0.75ns -0 +/-0.8ns +/-0.8ns +/-0.6ns 0.6ns 1tCK 0.9/1.1tCK 0.4/0.6tCK +/-0.8ns +/-0.75ns +/-0.75ns +/-0.5ns 0.5ns 2.5tCK-tDQSS 1tCK+/-0.75ns tCK/2+/-0.75ns tCK/2+/-0.75ns :Changeddescriptionmethodforthesamefunctionality.Thismeansnodifferencefromthepreviousversion. 3.ChangedthefollowingACparametersymbol OutputdataaccesstimefromCK/CK tAC Version0.61(August9,1999) -Changedthesomevaluesof"writewithautoprecharge"tablefordifferentbankinpage31. Asserted command Old Read Read+AP *1 Legal Legal ForDifferentBank 3 New Illegal Illegal Old Legal Legal 4 New Illegal Illegal From. tDQCK To. -2- REV.1.0November.2.2000 128MbDDRSDRAM RevisionHistory(continued) Version0.7(March,2000) -Changed128MbspecfromtargettoPreliminaryversion. -Changedpartnamesasfollows. from KM44L32031BT-G(L)Z/Y/0 KM48L16031BT-G(L)Z/Y/0 KM416L8031BT-G(L)Z/Y/0 -Changedinputcap.spec. from CK/CK DQ/DQS/DM CMD/Addr 2.5pF~3.5pF 4.0pF~5.5pF 2.5pF~3.5pF to 2.0pF~3.0pFw/DeltaCin=0.25pF 4.0pF~5.0pFw/DeltaCin=0.5pF 2.0pF~3.0pFwithDeltaCin=0.5pF to K4H280438B-TC(L)A2/B0/A0 K4H280838B-TC(L)A2/B0/A0 K4H281638B-TC(L)A2/B0/A0 -Changedoperatingcondition. from Vil/Vih(ac) V IL /V IH (dc) Vref+/-0.35V Vref+/-0.18V to Vref+/-0.31V Vref+/-0.15V -AddedOvershoot/Undershootspec .Vih(max)=4.2V,theovershootvoltagedurationis ≤ 3nsatVDD. .Vil(min)=-1.5V,theovershootvoltagedurationis ≤ 3nsatVSS. -ChangedACparametersasfollows. from tDQSQ tDV tQH tHP -AddedDCspecvalues. +/-0.5(PC266),+/-0.6(PC200) +/-0.35tCK - - to +0.5(PC266),+0.6(PC200) - tHPmin-0.75ns(PC266) tHPmin-1.0ns(PC200) tCLminortCHmin NewDefinition Removed NewDefinition Comments Version0.71(April,2000) -CorrectedatypofortRASat133Mhz/CL2.5from48nst045ns. -Correctedatypoin"GeneralInformation"tablefrom64Mx4to8Mx16. Version0.72(May,2000) - ChangedDCspecitem&testcondition Version0.73(June,2000) - AddedupdatedDCspecvalues - DeletedtDALinACparameter Version1.0(November,2000) - Eliminate"preliminary" -3- REV.1.0November.2.2000 128MbDDRSDRAM Contents RevisionHistory GeneralInformation 1.KeyFeatures 1.1Features 1.2OperatingFrequencies 2.PackagePinout&Dimension 2.1PackagePintout 2.2Input/OutputFunctionDescription 2.366PinTSOP(II)/MS-024FCPackagePhysicalDimension 3.FunctionalDescription 3.1SimplifiedStateDiagram 3.2BasicFunctionality 3.2.1Power-UpSequence 3.2.2ModeRegisterDefinition 3.2.2.1ModeRegisterSet(MRS) 3.2.2.2ExtendedModeRegisterSet(EMRS) 2 9 10 10 10 11 11 12 13 14 14 15 15 16 16 18 19 19 20 20 20 21 21 22 23 23 24 25 3.2.3Precharge 3.2.4NoOperation(NOP)&DeviceDeselect 3.2.5RowActive 3.2.6ReadBank 3.2.7WriteBank 3.3EssentialFunctionalityforDDRSDRAM 3.3.1BurstReadOperation 3.3.2BurstWriteOperation 3.3.3ReadInterruptedbyaRead 3.3.4ReadInterruptedbyaWrite&BurstStop 3.3.5ReadInterruptedbyaPrecharge 3.3.6WriteInterruptedbyaWrite -4- REV.1.0November.2.2000 128MbDDRSDRAM 3.3.7WriteInterruptedbyaRead&DM 3.3.8WriteInterruptedbyaPrecharge&DM 3.3.9BurstStop 3.3.10DMmasking 3.3.11ReadWithAutoPrecharge 3.3.12WriteWithAutoPrecharge 3.3.13AutoRefresh&SelfRefresh 3.3.14PowerDown 26 27 28 29 30 31 32 33 34 4.CommandTruthTable 5.FunctionalTruthTable 6.AbsoluteMaximumRating 7.DCOperatingConditions&Specifications 7.1DCOperatingConditions 7.2DCSpecifications 8.ACOperatingConditions&TimmingSpecification 8.1ACOperatingConditions 8.2ACTimmingParameters&Specification 9.ACOperatingTestConditions 10.Input/OutputCapacitance 11.IBIS:I/VCharacteristicsforInputandOutputBuffers 11.1Normalstrengthdriver 11.2Halfstrengthdriver(willbeincludedinthefuture) 12.QFCfunction QFCdefinition QFCtimmingonReadOperation QFCtimmingonWriteoperationwithtDQSSmax QFCtimmingonWriteoperationwithtDQSSmin QFCtimmingexampleforinterruptedwritesoperation 35 40 40 41 42 42 43 45 45 46 46 48 TimingDiagram 49 49 49 50 50 51 52 -5- REV.1.0November.2.2000 查看更多（仅显示前5页内容，查看全部内容请下载文档。

）> 热门放大器器件 LM311P/P3 MCP6546-I/MS ALD2706ASA INA2128PA LT6002IDHC#TRPBF LTC6253CDC#TRMPBF ALD2706PAXXXX CLC420MDC 5962-9151901MGX 5962-01-246-7776 UA709CDR RM741CQ/883B PA40 LM2902KVQDREP OPA2682N/2K5 LM6118E/883 LF353S PA04CR HA7-5135/883 TC52N5032ECTRT 相关讨论 技术文章 [转载]verilog中对inout信号的处理 原文地址：verilog中对inout信号的处理作者：bbccy 1、inout端口不能被赋值为reg型，因此，不能用于always语句中。

2、if等条件语句只能用于initial语句及always语句。

3、因此，对于inout端口的逻辑判断，要用到？：条件表达式，来控制高阻的赋值 4、需要有一个中转的寄存器，这样，在always语句中，才可以将输入的信号赋给输出（用inout代替纯output） 5、高阻态不要用于芯片内部，应该用逻辑引到引脚处，然后用高阻来实现。

... ming1005 FPGA/CPLD CC1350LaunchPad开发套件评测之一----开发板及芯片 本帖最后由yang_alex于2017-4-2208:25编辑 此内容由EEWORLD论坛网友yang_alex原创，如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处 前段时间有幸从论坛获得了一次CC1350LaunchPad开发套件：Launchxl-cc1350的评估机会。

CC1350LaunchPad开发套件采用了TI一贯的包装盒，包括一块CC1350LaunchPad开发板、一根数据线、一张开发板引出脚定义图和一张开发板网络资源说明。

... yang_alex 无线连接 数据采集(DAQ)基础知识（下） 数据采集设备的驱动软件将模数转换器输出的二进制码值通过乘以一个常数转化为电压值。

良好的相对精度对数据采集设备很重要，因为它确保了将模数转换器输出的二进制码值能被准确地转化为电压值。

获得良好的相对精度需要正确地设计模数转换器和外围的模拟电路。

数据采集(DAQ)基础知识（下）... frozenviolet 测试/测量 想问下F6638除了用户指南和数据表有其他材料吗？ 比如我想找SR的复位状态呢，各个手册只提到进行复位，但没有说过具体各位如何 想问下F6638除了用户指南和数据表有其他材料吗？... 尚未初始化 微控制器MCU STM8S105选项字配置程序 STM8S105选项字配置程序FOR串口下载 本人一直用串口下载来学习STM8的，所以方便学习就写了这个小程序。

。

用处： 一： 新片只可以在第一次下载有效，所以，只要第一次下载时打开OPTBL就可以无限次下载了（除了打开ROP保护或下次把该选项取消）。

论坛内也有高手写了程序用于打开该选项。

用这个软件，选上OPTBL选项，点生成HEX文件，然后把这个HEX文件烧进去新的芯片上，以后就可以重复用串口下载。

。

二： 好了，跑马灯试验够了，发现有很多端口的... kimheeseon stm32/stm8 【米尔MYC-JX8MPQ评测】运行TDengine 因为之前的项目上有用到涛思数据库，后面项目上可能也会用到数据库，所以在这个板子上运行试试看 TDengine社区版是一开源版本，采用的是AGPL许可证，是一个处理中小规模的物联网数据平台。

它具备高效处理物联网数据所需要的所有功能，包括: 类SQL查询语言来插入或查询数据 支持C/C++,Java(JDBC),Python,Go,RESTful,andNode.JS等开发接口 通过TDengineShell或Python/R/Matlab可做各种... bloong 开发板测评专版 张忠谋要退休了台积电也面临“增长天花板”？ 　　全球最大半导体代工企业台湾积体电路制造(简称台积电、TSMC)正保持快速发展。

目前在全球代工市场的份额超过50%，总市值达到约18万亿日元，逼近多年来居于行业首位的美国英特尔。

台积电创始人兼董事长张忠谋主导的代工模式不断扩大，改变了半导体行业的产业结构。

如今，IT产业的“幕后统治者”台积电迎来了创业30年。

下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。

　　4月13日，在台北举行的台积电财报说明会...[详细] OLED布局提速与LCD共存时代即将到来 　　OLED作为最新一代产品，在2011年真正进入了爆发期，各大调研机构纷纷表示看好OLED产业前景。

但其实早在2007年，索尼就推出全球首款11英寸的OLED电视，OLED的潜力已经隐现。

虽然由于成本和售价过高导致其销售不佳，2010年3月索尼宣布停止日本国内的OLED电视的生产和销售。

但这并不意味着索尼放弃了OLED方面的探索。

也不意味着其他国家与企业也同时放弃这一研发。

事实上，OLED的技术...[详细] 差分霍尔效应传感器：使未来的两轮车应用更安全、更可靠 在两轮和三轮车辆应用中，对于发动机、变速器和车轮速度等进行控制的电子设备使用正在快速增长，特别是在发展中国家。

这一趋势主要由改善全球空气质量，提高燃油效率和车辆安全性等要求驱动。

这些系统的控制需要能够在恶劣环境下工作的可靠的磁传感器和目标，其中常见的挑战是在车辆运行期间存在由电机和线圈引起的共模噪声和杂散场干扰。

齿轮磨损、损坏以及目标轮混入铁屑都会导致控制信号的减小或丢失。

车辆控制中使用的两种常见...[详细] 激战正酣！2017OPPO和vivo的这一年 　　OPPO、vivo作为中国手机界新兴品牌代表之一，相信大家不会陌生。

无论是公交站、地铁里那些“铺天盖地”的广告海报，还是“通话两小时充电五分钟”、“够快才畅快”等一句句耳熟能详的广告词，亦或是那一波波“国民老公”、“国民老婆”、“国民小鲜肉”的明星代言，我们似乎时刻被OPPO、vivo的广告包围着……下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。

　　事实证明，经过这几年的群雄竞逐，OPPO、...[详细] 浅谈晶闸管中频电源零压启动 　　中频电源的启动性能是最重要的性能指标，它的好坏直接影响设备的品质和使用性能。

因此，启动问题一直是业内研究的重点和难点，人们采用各种方法改善启动性能，如：充电启动法、并联启动法、他激转自激法、预充磁启动法等，这些方法在一定程度上改善了启动性能，但这些传统的启动方式还是存在线路复杂、成本较高、故障率高等缺点。

为降低设备成本、优化和简化设备结构，在工程实践中摸索出了一种全新的启动方式——零压启动。

本...[详细] 爱立信宣布在瑞典裁员1550人    北京时间11月7日晚间消息，爱立信今日宣布，为削减成本，公司将在瑞典裁员1550人。

　　由于全球经济低迷，电信运营商纷纷压缩开支，再加上激烈的市场竞争，电信设备的价格也每况愈下。

　　第三财季，爱立信核心利润下滑了42%，主要是因为订单数量减少，以及合约利润下滑所致。

为此，爱立信决定压缩成本。

　　爱立信人力资源主管托马斯·奎斯特(TomasQvist)称：“我们必须要确保能够继续执行我们的...[详细] 《国产嵌入式微系统msOS成型记》之三msOS的需求来源 2001年我大学毕业后去了中科院半导体所工作，第一次真正接触了MCU51下的C语言开发，项目组要求项目中的功能尽可能封装成一个个的功能子函数，便于维护，所以一个项目就是由各个功能子函数组成的。

但我因为在所里时间较短，没有真正参与其中，只是接触了这个概念，觉得这个非常好，也在自己心中暗暗的下了一个决心，今后要建立自己的函数库，以方便项目开发。

2002年我来到深圳做手机软件开发，采用英飞凌手机解决方案...[详细] 高通高管解读财报：物联网业务增速已经超过手机业务 北京时间7月29日早间消息，据报道，高通今天发布了截止6月27日的2021财年第三财季财报。

报告显示，高通第三财季营收为80.60亿美元，与去年同期的48.93亿美元相比增长65%；净利润为20.27亿美元，与去年同期的8.45亿美元相比增长140%；每股摊薄收益为1.77美元，与去年同期的0.74美元相比增长139%。

　　财报发布后，高通首席执行官克里斯蒂亚诺·阿蒙（CristianoAmon...[详细] 二极管涨价超十七倍，预计订单已排到年底 集微网消息（记者邓文标），自去年以来，半导体涨价潮从硅晶圆、被动组件、MOSFET一路吹向电阻、铝电解电容，如今连二极管也在持续涨价，且涨价幅度远超预期。

业内人士向集微网记者表示，受到上游原材料涨价和下游应用驱动，二极管的市场价格在暴涨，原本通用型二极管——安森美2N7002，从去年每颗4分钱，最高涨价每颗到7毛钱，最高价格涨幅超过17倍。

二极管最高涨价超17倍由于厂商之间的“厮杀”，让二极管的...[详细] atmega8例程：T1定时器CTC模式方波输出 /********************************************************************函数库说明：ATMEGA8T1定时器CTC模式方波输出*版本：v1.00 *修改：庞辉芜湖联大飞思卡尔工作室 *修改日期：2011年08月08日 * ...[详细] LED光柱显示器与PLC的接口技术 PLC不仅具有传统继电器控制系统的控制功能，而且能扩展输入输出模块，特别是可以扩展一些智能控制模块，构成不同的控制系统，将模拟量输入输出控制和现代控制方法融为一体，实现智能控制、闭环控制、多控制功能一体的综合控制。

现代PLC以集成度高、功能强、抗干扰能力强、组态灵活、工作稳定受到普遍欢迎，在传统工业的现代化改造中发挥越来越重要的作用。

但PLC设计的控制系统显示界面比较单调，一般通过观察控制柜上设置...[详细] 复智能光电旋钮的设计 引言 目前，在设计仪器的控制面板时，主要采用各种按键，通过检测按键是否被按下产生控制信号。

但是，在一些需要连续产生控制信号的场合，使用按键可能带来操作上的不便。

而且，长期高频率使用的按键极易损坏。

如果使用光电旋钮，根据其旋转速率和旋转方向产生控制信号，就能提高使用的灵活性和可靠性。

市场上的此类产品很少，且价格昂贵。

经过多次试验，笔者成功地设计出采用单片机作为控制核心的智能光电旋钮。

智能光电旋钮...[详细] 安森美半导体总裁兼首席执行官KeithD.Jackson将在2021年卸任 安森美半导体公司（ONSemiconductorCorporation,美国纳斯达克上市代号：ON）宣布，公司总裁兼首席执行官KeithD.Jackson（傑克信)打算于2021年5月从安森美半导体退休。

为确保有序过渡，Jackson先生在退休前将继续担任现有职务，并将协助董事会寻找其继任人。

此外，Jackson先生也将因退休后不再出任总裁兼首席执行官而退任董事会成员，目前预计不会在公司2...[详细] 内存产业复苏不明转向模拟芯片领域 由于处境不佳的电脑内存市场今年预计仅会温和复苏，考虑押注全球芯片产业的投资者可能打算把资金投向快速增长的模拟芯片领域。

用于便携产品的闪存价格似乎正在趋稳，但参加路透全球技术、媒体与电信峰会的高管们表示，他们对于该产业何时复苏不太确定。

　　分析师预计今年全球DRAM销售额下降10%，2009年增长约20%。

主要DRAM供应商三星(Samsung)电子和海力士(Hynix)半导体的价格自4月以...[详细] lcr测试仪_lcr测试仪价格_lcr测试仪原理 LCR测试仪能准确并稳定地测定各种各样的元件参数，主要是用来测试电感、电容、电阻的测试仪。

它具有功能直接、操作简便等特点，能以较低的预算来满足生产线质量保证、进货检验、电子维修业对器件的测试要求。

Vx与Vr均是矢量电压表，Rr是理想电阻。

自平衡电桥的意思是：当DUT(DeviceUnderTest)接入电路时，放大器的负反馈配置自动使得OP输入端虚地。

Vx准确测定DUT两端电压（DUT的Low...[详细] 新增数据表(2022-04-01):   RC1206FR-1049R9  SB320EB-G  EBC24DKAD-S189  AMM25DRSN  D95040-01  MS90538-14  XRCWHT-L1-R250-005E8  B43547A9477M62  PCF2010H-19-3K32BI  364-10-122-00-580000  SIT8921BMR1-25S  RNCF0603DTE24K3  231216502874  TW-02-06-G-T-160  ET07LD1V31GE1  BZM28/B0312/A5B  TSC80C51-12ABR  ESI3046K1V  SQT-110-03-F-S  ICS840051AGIT  7301P4Y9V31GES2  S-1702LGB01-I6T1G  6QDP-016-12.0-TTR-STL-2-B  TMM-124-04-SM-D-SM-07-TR  575S25HA12M8000  XD-14592D4-252  BZM28/A0621/64A  54103-G10-29  303139U-517R-Q-B-L  1M3939-010-3801-120.0-02-AD-22-1  54112-805401150LF  TNPW2010261RBHEF  CR0402D6K26P10  2200FA1G508A2FA  HVCG1206T09K530.5%G  74059-8166  3171-25BAJNS5SN  M80-4T10805F1-10-301-05-301  T83D336M016GAAL  SSW16B2611JLLF7   器件捷径:   L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ 查看该器件的人还看了 XRCWHT-L1-R250-005E8 B43547A9477M62 SIT8921BMR1-25S TSC80C51-12ABR ESI3046K1V 575S25HA12M8000 54103-G10-29 54112-805401150LF TNPW2010261RBHEF M80-4T10805F1-10-301-05-301 网友大多搜 RN55C1182BB14 OSTV8115150 CRCW04021K18FKEDHP CTV07RW-15-19AD RK73H1JTTD1104F FC1008CLE CP0010620R0JE663 C1210C683F5JACAUTO LTC3624HMSE 6375SL005 热门文章 玩转STM32CubeMX|SPI总线 e络盟发布：工业和物联网应用低成本单板机的需求日益增长 彭博社：苹果iPhone13/Pro系列仅会于少数市场支持卫星通信 ZDS2022示波器百集实操视频之52：脉冲串长度测量 台积电：2050年达成了净零碳排放目标 造车新势力99%会死，剩下的1%将带给产业带来新生 新思科技：2022年软件安全行业七大趋势预测 索尼宣布堆叠式图像传感器技术最新突破 示波器频域分析电源噪声讲解 苹果iPhone14或进入代工试产阶段 热门器件 GMZJ4.3B_R2_10001 BZX84C2V4T/R7 GDZJ24B-35B 5KP30A 2SD882-P C6351HFA-10P-V0-HF A2541WR-19P-E991-G30 TR0603B6K98P0550Z CR2512J430KE04Z SMDRH104R-331MT 技术资料推荐 51单片机第二课--C51 madwifi上的atheros无线网卡驱动源码 MK_全球著名放大器一览表.pdf 如何使用4个电阻在比较器上设置滞后原理图 浅谈中职单片机课程教学方法改革 LM1085 新型低压低功耗快闪存储器设计 通用变频器和关连机器 TL-WN727N详细配置指南 用Verilog语言实现信号发生器 论坛推荐 简易节能排插功率计 C28x历程和Flash烧写方法汇总 在WINCE5.0下想做一个能显示日期、时间、还能更新图片 领先业界的隔离式电源管理芯片 分享一下心电方面的文档 请教一个角度测量的问题 闲置FLOK-2440-3开发板一套 问一个有关消息队列的问题 耦合电感拓展DC/DC转换器的应用 如何成为IC设计高手？ 技术视频推荐 计算机控制系统东北大学关守平 从自然世界到智能时代 STM32超值型产品《探索套件》 WallyRhines-2015PhilKaufmanAwardWinner 电子材料（电子科技大学） [高精度实验室]电机驱动:2有刷直流驱动器 比尔·盖茨在微软的最后一天——盖茨携好莱坞巨星出演搞笑片 处理器是如何制造的（动画版） Atmel工具详解 华为物联网技术入门到精通 可能感兴趣器件 XRCWHT-L1-R250-005E8 B43547A9477M62 SIT8921BMR1-25S TSC80C51-12ABR ESI3046K1V 575S25HA12M8000 54103-G10-29 54112-805401150LF TNPW2010261RBHEF M80-4T10805F1-10-301-05-301 AboutUs 关于我们客户服务联系方式器件索引网站地图最新更新手机版 站点相关：大学堂 TI培训Datasheet电子工程 器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 器件入口   15 72 77 9 B6 BZ FU GI LE LW M8 OY P8 RQ W 用户热搜： 4线 ADI参考电路 DDR2接口 EV充电 E类功率放大器 FCC FreeRTOS J-Link LM324 Qi标准 RTL STC stm32库 三星电子 仿真图 低功耗方案 元器件库 功率放大 单片机串口 高通 双层压电片 隔离器 增益误差 金升阳 通信芯片 输出噪声 谐波 自适应神经模糊系统 稳压二极管 碳化硅 矢量信号 电驱动 电磁兼容性 电源滤波器 电源 电流模 电压缩放 片内寄存器 滤波算法 滞环PWM 混叠滤波器 杜湘瑜 杂散抑制 有源天线 晶闸管 晨星半导体 方波 张占松 快速傅立叶变换 BML050 北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305电话:(010)82350740邮编：100191 电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备11010802033920号 Copyright©2005-2022EEWORLD.com.cn,Inc.Allrightsreserved