前道工序（Front end of line, FEOL） - 芯制造
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集成电路是依靠所谓的平面工艺一层一层制备起来的。
对于逻辑器件，简单地说，首先是在 Si衬底上划分制备晶体管的区域(active area)，然后是离子注入实现N型和P型区域，其次是做栅极，随后又是离子注入，完成每一个晶体管的源极(source)和漏极(drain)。
这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管，又被称为前道(front end of line，FEOL)工艺。
图1是一个逻辑器件的剖面示意图。
新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料，例如：前道
